нашел программу ATPERF23.EXE (приложил к посту)
Прога отлично показывает сколько задержки памяти, по отдельным статьям: Read и Write..
И решил проверить:
1) неизвестная плата, чипсет VLSI, CPU Harris-25mhz, 1мб памяти DIPы:
И соответственно программа CCT286ram read = 0.1 wait state
ram write = 0.0 wait state
2) Плата M219, чипсет Тошиба, CPU Harris-25mhz, 1mb памяти SIMMы:Time = 898
И соответственно программа CCT286ram read = 0.0 wait state
ram write = 0.2 wait state
Time = 952
Вроде бы параметры совпадают: задержки близки друг к другу. Программы ATPERF23.EXE и CCT286 - выдали аналогичные цифры.
Остается понять природу, почему на неизвестной плате с чипсетом VLSI выдает в CheckIt 6374 Dhrystones,
а у M219 с тошибой - всего лишь 4804 Dhrystones.
Уже всю голову поломал. Кто знает закономерности или причину в различии производительности?