Как минимум ещё была SST27SF512.XPOHOMETP писал(а):Не зря же я 29EE512 вспомнил. Winbond тот еще извращенец в маркировке...
Ещё раз подчеркну, главная разница не в способе стирания, а в алгоритме записи.
Это как?XPOHOMETP писал(а):Для EEPROM процесс стирания чаще прозрачен для пользователя и отдельных команд не требует.
Вообще-то это стандарт для всех EPROM, включая UV-, OTP- и EEPROM. Почитайте хотя бы с десяток даташитов.XPOHOMETP писал(а):Rio444 написал:Частный случай и только для UV-EPROM.длительностью 100мкс.
Это не EEPROM, это Flash. Выше i8088 давал ссылку на наше с ним обсуждение вопроса. Как и Вы сейчас, я заблуждался насчет EEPROM и FLASH.XPOHOMETP писал(а):Rio444 написал:В EEPROM аналогично.Flash шьётся по-другому... потом делается пауза
Можно. Но для нормальной работы, в режиме чтения, Vpp надо снимать. Потому что подаваемые сигналы управления отличаются.XPOHOMETP писал(а):Rio444 написал:Никаких проблем. Результат прошивки UV-EPROM можно проверять без снятия Vpp.Но, в отличии от EPROM, это напряжение может быть постоянно подано на м/с. Управлять им не нужно.
Пусть они залогинятся на форуме и подтвердят лично, а не с Ваших слов.XPOHOMETP писал(а):Всё давно перечитано, и десятки тысяч устройств по всей стране это успешно подтверждают...
Там и УФ-ПЗУ были, и EEPROM, и FLASH...
Стандарт есть. Все импортные EPROM вида 27С64...27С010 могут программироваться импульсом 100мкс. Есть такие, которым достаточен импульс короче. Но в таком случае во всех даташитах пишется, что это ускоренный режим прошивки. И преподносится как достоинство этой м/с.XPOHOMETP писал(а):Стандарта нет, есть алгоритмы записи. По советски - дал 50 мс и пошел дальше.
По Интел - даем по 1 мс и ждем когда совпадет.
Чушь полная. Это не EEPROM, а разновидность Flash.XPOHOMETP писал(а):Это как в ОЗУ. Байт отправил, если за ~ 3 мс ничего не прилетело, то он сам запишется куда надо.
Это и есть flash, обозванная EEPROM (есть и обратные примеры). Если Вам так удобнее, тоXPOHOMETP писал(а):i8088, например Xicor 28HC256. Плюс перечень допустимых замен.
Никуда я не попал, ибо давно это было и все работает.
Но обновить склероз готов, ткните носом чего перечитать надо...
Т.е. пишем в буфер 64 байта. Делаем паузу. Данные записываются во Flash.The page write operation of the AT28HC256 allows 1 to 64 bytes of data to be written into the
device during a single internal programming period. A page write operation is initiated in the
same manner as a byte write; the first byte written can then be followed by 1 to 63 additional
bytes. Each successive byte must be written within 150 µs (tBLC) of the previous byte. If the
tBLC limit is exceeded the AT28C256 will cease accepting data and commence the internal
programming operation.
Ага. И самая распространенная и востребованная. Даташиты других ёмкостей покурите сами.XPOHOMETP писал(а):Она самая толстая. Потому имеет особенности (нехватки ножек для сигналов).
И? О чем я и говорил, ускоренный режим прошивки, как фича конкретной м/с.XPOHOMETP писал(а):Rio444 написал:Исключительно для экономии ресурса циклов стирания/перезаписи.во всех даташитах пишется, что это ускоренный режим прошивки.
Но если нужно, то то первый попавшийся под руку pdf: ST M2764A, страница 4:
High Speed Programming
Что-то не нашел там такого на 3-й странице.XPOHOMETP писал(а):X28HC256, страница 3
A byte write operation,
once initiated, will automatically continue to completion,
typically within 3ms.
Т.е. запись одного байта, как частный случай записи страницы.Byte Write
A low pulse on the WE or CE input with CE or WE low (respectively) and OE high initiates a
write cycle. The address is latched on the falling edge of CE or WE, whichever occurs last.
The data is latched by the first rising edge of CE or WE. Once a byte write has been started it
will automatically time itself to completion. Once a programming operation has been initiated
and for the duration of tWC, a read operation will effectively be a polling operation.